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FF33MR12W1M1HB11BPSA1

FF33MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies


infineon-ff33mr12w1m1h_b11-datasheet-v00_20-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 25A 10-Pin Tray
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Technische Details FF33MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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FF33MR12W1M1HB11BPSA1 FF33MR12W1M1HB11BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-FF33MR12W1M1H_B11-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8779172a01882011f43473fd Description: MOSFET
Packaging: Tray
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FF33MR12W1M1HB11BPSA1 FF33MR12W1M1HB11BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ff33mr12w1m1h_b11-datasheet-v00_20-en.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 25A 10-Pin Tray
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FF33MR12W1M1HB11BPSA1 FF33MR12W1M1HB11BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_FF33MR12W1M1H_B11_DataSheet_v00_20_EN-3367060.pdf Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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FF33MR12W1M1HB11BPSA1 FF33MR12W1M1HB11BPSA1 Hersteller : INFINEON Infineon-FF33MR12W1M1H_B11-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8779172a01882011f43473fd Description: INFINEON - FF33MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16 Stücke:
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