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Technische Details FF3MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF3MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 190 A, 1.2 kV, 4440 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: 62 mm C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4440µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FF3MR12KM1HHPSA1 nach Preis ab 333.6 EUR bis 564.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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FF3MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies |
 CoolSiC Trench MOSFET |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF3MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF3MR12KM1HHPSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.44mOhm @ 280A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 112mA Supplier Device Package: AG-62MMHB |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF3MR12KM1HHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF3MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 190 A, 1.2 kV, 4440 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62 mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4440µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FF3MR12KM1HHPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
CoolSiC Trench MOSFET
CoolSiC Trench MOSFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 333.6 EUR |
| FF3MR12KM1HHPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 451.99 EUR |
| 10+ | 382.61 EUR |
| FF3MR12KM1HHPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.44mOhm @ 280A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 112mA
Supplier Device Package: AG-62MMHB
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.44mOhm @ 280A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 112mA
Supplier Device Package: AG-62MMHB
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 564.92 EUR |
| 10+ | 523.87 EUR |
| FF3MR12KM1HHPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF3MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 190 A, 1.2 kV, 4440 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4440µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF3MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 190 A, 1.2 kV, 4440 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62 mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4440µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)