
FF3MR12KM1PHOSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1583.77 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FF3MR12KM1PHOSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 375A AG-62MM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29800pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.83mOhm @ 375A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1000nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA, Supplier Device Package: AG-62MM.
Weitere Produktangebote FF3MR12KM1PHOSA1 nach Preis ab 1225.74 EUR bis 1404.28 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FF3MR12KM1PHOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||
FF3MR12KM1PHOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||
FF3MR12KM1PHOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
![]() |
FF3MR12KM1PHOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29800pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.83mOhm @ 375A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1000nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA Supplier Device Package: AG-62MM |
Produkt ist nicht verfügbar |