FF450R12KE4PHOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF450R12KE4PHOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 450A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 450 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FF450R12KE4PHOSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FF450R12KE4PHOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 450A 7-Pin 62MM-1 Tray |
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FF450R12KE4PHOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 450A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 450A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V |
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FF450R12KE4PHOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 450 A dual IGBT module |
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