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Technische Details FF450R12ME4 Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Power - Max: 20 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 450 A, Part Status: Active, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: AG-ECONOD, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: Half Bridge Inverter, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA.
Weitere Produktangebote FF450R12ME4
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| FF450R12ME4 | Infineon |
 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT N-CH 1.2KV 450A Силові IGBT-модулі |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| FF450R12ME4 | Infineon Technologies |
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Power - Max: 20 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: AG-ECONOD NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Half Bridge Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA |
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| FF450R12ME4 |
|
Hersteller: Infineon
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT N-CH 1.2KV 450A Силові IGBT-модулі
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| FF450R12ME4 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONOD
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONOD
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
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