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FF450R33T3E3BPSA1

FF450R33T3E3BPSA1 Infineon Technologies

Infineon-FF450R33T3E3-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46254bdc4f50154c8080a4e59f5
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
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Technische Details FF450R33T3E3BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF450R33T3E3BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 2.5 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3kV, Dauerkollektorstrom: 450A, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: XHP 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 450A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
FF450R33T3E3BPSA1 FF450R33T3E3BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FF450R33T3E3-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46254bdc4f50154c8080a4e59f5 Description: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
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FF450R33T3E3BPSA1 FF450R33T3E3BPSA1 Infineon Technologies Infineon_FF450R33T3E3_DataSheet_v01_20_DE-3162773.pdf IGBT Modules 3300 V, 450 A dual IGBT module
auf Bestellung 2 Stücke:
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FF450R33T3E3BPSA1 FF450R33T3E3BPSA1 INFINEON INFN-S-A0007056773-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF450R33T3E3BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 2.5 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3kV
Dauerkollektorstrom: 450A
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: XHP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
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FF450R33T3E3BPSA1 Infineon-FF450R33T3E3-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46254bdc4f50154c8080a4e59f5
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF450R33T3E3BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 2.5 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3kV
Dauerkollektorstrom: 450A
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: XHP 3
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IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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