FF600R12ME4WB73BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF600R12ME4WB73BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF600R12ME4WB73BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 600A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoDual 3 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 600A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FF600R12ME4WB73BPSA1 nach Preis ab 495.2 EUR bis 811.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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FF600R12ME4WB73BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 11-Pin ECONOD-3 Tray |
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FF600R12ME4WB73BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO |
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FF600R12ME4WB73BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MEDIUM POWER ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FF600R12ME4WB73BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF600R12ME4WB73BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 600A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: -mW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoDual 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF600R12ME4WB73BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A |
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