
FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies
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Anzahl | Preis |
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1+ | 444.85 EUR |
5+ | 398.06 EUR |
10+ | 367.57 EUR |
30+ | 346.70 EUR |
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Technische Details FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA, Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2, Part Status: Obsolete.
Weitere Produktangebote FF6MR12W2M1B11BOMA1 nach Preis ab 484.50 EUR bis 522.48 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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