FF750R17ME7DPB11BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FF750R17ME7DPB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF750R17ME7DPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 650A, Produktpalette: EconoDUAL 3 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FF750R17ME7DPB11BPSA1 nach Preis ab 361.53 EUR bis 531.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||
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FF750R17ME7DPB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1700V 650A 11-Pin Tray |
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FF750R17ME7DPB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: FF750R17ME7DPB11BPSA1 Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 750A NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 650 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 78100 pF @ 25 V |
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FF750R17ME7DPB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO |
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FF750R17ME7DPB11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF750R17ME7DPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 650A Produktpalette: EconoDUAL 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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FF750R17ME7DPB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 650A 11-Pin Tray |
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