Technische Details FF800R12KE7EHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF800R12KE7EHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 800 A, 1.75 V, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 800A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FF800R12KE7EHPSA1 nach Preis ab 505.74 EUR bis 831.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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FF800R12KE7EHPSA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - FF800R12KE7EHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 800 A, 1.75 V, 175 °C, ModuletariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 800A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF800R12KE7EHPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 7-Pin Tray |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF800R12KE7EHPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF800R12KE7EHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 800 A, 1.75 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 800A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: INFINEON - FF800R12KE7EHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 800 A, 1.75 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 800A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 831.57 EUR |
| FF800R12KE7EHPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 7-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 7-Pin Tray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 505.74 EUR |