FF800R12KE7EHPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 800A AG-62MMHB
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 800A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-62MMHB
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 122 nF @ 25 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 252.52 EUR |
| 10+ | 229.46 EUR |
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Technische Details FF800R12KE7EHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF800R12KE7EHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 800 A, 1.75 V, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 800A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FF800R12KE7EHPSA1 nach Preis ab 344.34 EUR bis 420.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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FF800R12KE7EHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FF800R12KE7EHPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF800R12KE7EHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 800 A, 1.75 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 800A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF800R12KE7EHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 7-Pin Tray |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF800R12KE7EHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 7-Pin Tray |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF800R12KE7EHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005568685 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FF800R12KE7EHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 7-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |