FF900R17ME7B11BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MEDIUM POWER ECONO
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 900A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 93.8 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
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Technische Details FF900R17ME7B11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF900R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 900 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 20mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Dauerkollektorstrom: 900A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 900A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FF900R17ME7B11BPSA1 nach Preis ab 405.35 EUR bis 405.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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FF900R17ME7B11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF900R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 900 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 20mW euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 900A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 900A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| FF900R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules 1700 V, 900 A dual IGBT module |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R17ME7B11BPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF900R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 900 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 20mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 900A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 900A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF900R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 900 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 20mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 900A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 900A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FF900R17ME7B11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules 1700 V, 900 A dual IGBT module
IGBT Modules 1700 V, 900 A dual IGBT module
auf Bestellung 8 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 405.35 EUR |