FF900R17ME7B11BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 900A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 93.8 nF @ 25 V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 450.72 EUR |
| 10+ | 441.68 EUR |
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Technische Details FF900R17ME7B11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF900R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 900 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 900A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 20mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 900A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FF900R17ME7B11BPSA1 nach Preis ab 477.95 EUR bis 685.30 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FF900R17ME7B11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 900A 11-Pin ECONOD-3 Tray |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF900R17ME7B11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 900A 11-Pin ECONOD-3 Tray |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FF900R17ME7B11BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FF900R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 900 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 900A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 20mW euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 900A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FF900R17ME7B11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1700 V, 900 A dual IGBT module |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FF900R17ME7B11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005423488 |
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