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Technische Details FFB5551 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FFB5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote FFB5551 nach Preis ab 0.24 EUR bis 0.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FFB5551 | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active |
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FFB5551 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FFB5551 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS 2NPN 160V 0.2A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active |
auf Bestellung 33386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FFB5551 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN MULTI-CHIP GEN PURPOSE |
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FFB5551 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFB5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 8983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FFB5551 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFB5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 8983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FFB5551 | Hersteller : FAIRCHILD |
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auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FFB5551 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FFB5551 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R |
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FFB5551 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FFB5551 | Hersteller : ONSEMI |
FFB5551 NPN SMD transistors |
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