FFSB0865A ON Semiconductor
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Technische Details FFSB0865A ON Semiconductor
Description: DIODE SIC 650V 15.4A D2PAK-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 15.4A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote FFSB0865A nach Preis ab 2.53 EUR bis 5.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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FFSB0865A | Hersteller : ON Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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FFSB0865A | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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FFSB0865A | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE SIC 650V 15.4A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 15.4A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
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FFSB0865A | Hersteller : onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD |
auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FFSB0865A | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE SIC 650V 15.4A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 15.4A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
auf Bestellung 10400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FFSB0865A | Hersteller : ON Semiconductor |
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FFSB0865A | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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FFSB0865A | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 15.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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FFSB0865A | Hersteller : ON Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
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| FFSB0865A | Hersteller : ONSEMI |
FFSB0865A SMD Schottky diodes |
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