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Technische Details FFSB2065B-F085 onsemi
Description: ONSEMI - FFSB2065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 22.8 A, 51 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 51nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FFSB2065B-F085 nach Preis ab 5.81 EUR bis 11.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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FFSB2065B-F085 | Hersteller : onsemi |
 Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO263Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
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FFSB2065B-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSB2065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 22.8 A, 51 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 51nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FFSB2065B-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSB2065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 22.8 A, 51 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 51nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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| FFSB2065B-F085 | Hersteller : ONN |
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auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FFSB2065B-F085 | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
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| FFSB2065B-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 22.8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 22.8A Semiconductor structure: single diode Case: D2PAK Max. forward voltage: 1.7V Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Technology: SiC |
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