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FFSD0465A

FFSD0465A onsemi

FFSD0465A_D-2313131.pdf Hersteller: onsemi
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 4A SIC SBD
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Technische Details FFSD0465A onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 7.6A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 7.6A, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FFSD0465A FFSD0465A Hersteller : onsemi ffsd0465a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 7.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 7.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
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FFSD0465A FFSD0465A Hersteller : ON Semiconductor ffsd0465a-d.pdf Silicon Carbide Schottky Diode,4A, 650 V
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FFSD0465A FFSD0465A Hersteller : onsemi ffsd0465a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 7.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
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Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 7.6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
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