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Technische Details FFSH10120A onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 17A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote FFSH10120A nach Preis ab 8.1 EUR bis 11.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FFSH10120A | Hersteller : onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 17A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
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| FFSH10120A | Hersteller : ON Semiconductor |
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FFSH10120A | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FFSH10120A | Hersteller : ONSEMI |
FFSH10120A THT Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |