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FFSH20120A-F155 ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 30A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details FFSH20120A-F155 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FFSH20120A-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 120 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 120nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FFSH20120A-F155 FFSH20120A-F155 ON Semiconductor ffsh20120a-f155-d.pdf Diode Schottky 1.2KV 30A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
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FFSH20120A-F155 FFSH20120A-F155 ONSEMI FFSH20120A-F155-D.PDF Description: ONSEMI - FFSH20120A-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 120 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 120nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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FFSH20120A-F155 FFSH20120A-F155 onsemi ffsh20120a-f155-d.pdf SiC Schottky Diodes Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D1, TO-247-2L Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D1, TO-247-2L
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FFSH20120A-F155 FFSH20120A-F155 onsemi ffsh20120a-f155-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH20120A-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 120 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 120nC
euEccn: NLR
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
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Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
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SiC Schottky Diodes Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D1, TO-247-2L Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D1, TO-247-2L
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Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
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