FFSH2065B-F085 ON Semiconductor
Hersteller: ON SemiconductorDiode Schottky SiC 650V 22.3A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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| 65+ | 8.25 EUR |
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Technische Details FFSH2065B-F085 ON Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote FFSH2065B-F085 nach Preis ab 6.8 EUR bis 14.94 EUR
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FFSH2065B-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 22.3A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
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FFSH2065B-F085 | Hersteller : onsemi |
SiC Schottky Diodes Auto SiC Schottky Diode, 650 V |
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FFSH2065B-F085 | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
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| FFSH2065B-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FFSH2065B-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 22.3A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
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Diode Schottky SiC 650V 22.3A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
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Diode Schottky SiC 650V 22.3A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
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