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FFSH2065BDN-F085

FFSH2065BDN-F085 ON Semiconductor

ffsh2065bdn-f085-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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Technische Details FFSH2065BDN-F085 ON Semiconductor

Description: DIODE ARRAY SIC 650V TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FFSH2065BDN-F085 FFSH2065BDN-F085 ON Semiconductor ffsh2065bdn-f085-d.pdf Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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FFSH2065BDN-F085 FFSH2065BDN-F085 ON Semiconductor ffsh2065bdn-f085-d.pdf Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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FFSH2065BDN-F085 FFSH2065BDN-F085 ON Semiconductor ffsh2065bdn-f085-d.pdf Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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FFSH2065BDN-F085 FFSH2065BDN-F085 ONSEMI FFSH2065BDN-F085-D.PDF Description: ONSEMI - FFSH2065BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
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FFSH2065BDN-F085 FFSH2065BDN-F085 onsemi ffsh2065bdn-f085-d.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
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FFSH2065BDN-F085 FFSH2065BDN-F085 onsemi ffsh2065bdn-f085-d.pdf SiC Schottky Diodes 650V 20A SIC SBD
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Hersteller: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH2065BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
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Hersteller: onsemi
Description: DIODE ARRAY SIC 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 238 Stücke:
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2+18.2 EUR
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10+10.86 EUR
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