FFSH30120A ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 30+ | 18.08 EUR |
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Technische Details FFSH30120A ON Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 46A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1740pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 46A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote FFSH30120A nach Preis ab 15.12 EUR bis 26.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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FFSH30120A | Hersteller : ON Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 1.2KV 46A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
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FFSH30120A | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 46A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube |
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FFSH30120A | Hersteller : onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 30A SIC SBD |
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| FFSH30120A | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FFSH30120A | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 46A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1740pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 46A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
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