FFSH3065ADN-F155 ON Semiconductor
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| 17+ | 8.58 EUR |
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Technische Details FFSH3065ADN-F155 ON Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 23A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote FFSH3065ADN-F155 nach Preis ab 8.58 EUR bis 17.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FFSH3065ADN-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FFSH3065ADN-F155 | Hersteller : onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A SIC SBD |
auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FFSH3065ADN-F155 | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 23A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
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| FFSH3065ADN-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
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