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FFSH3065B

FFSH3065B onsemi


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Hersteller: onsemi
SiC Schottky Diodes SIC DIODE 650V
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Technische Details FFSH3065B onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1260pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 37A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

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FFSH3065B FFSH3065B Hersteller : onsemi ffsh3065b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1260pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
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