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FFSH4065A

FFSH4065A onsemi

FFSH4065A_D-2313242.pdf
Hersteller: onsemi
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 40A SIC SBD
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Technische Details FFSH4065A onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 48A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FFSH4065A FFSH4065A Hersteller : onsemi ffsh4065a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 48A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
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FFSH4065A FFSH4065A Hersteller : onsemi ffsh4065a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 48A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1989pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 48A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
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