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FFSH4065BDN-F085

FFSH4065BDN-F085 ON Semiconductor

ffsh4065bdn-f085-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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Technische Details FFSH4065BDN-F085 ON Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.

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FFSH4065BDN-F085 FFSH4065BDN-F085 Hersteller : onsemi FFSH4065BDN-F085-D.PDF SiC Schottky Diodes 650V
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FFSH4065BDN-F085 FFSH4065BDN-F085 Hersteller : onsemi ffsh4065bdn-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
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