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FFSM2065B

FFSM2065B onsemi

ffsm2065b-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 23.4A
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details FFSM2065B onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Current - Average Rectified (Io): 23.4A, Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-PowerTSFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote FFSM2065B nach Preis ab 4.04 EUR bis 10.28 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FFSM2065B FFSM2065B Hersteller : onsemi ffsm2065b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 23.4A
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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FFSM2065B FFSM2065B Hersteller : onsemi ffsm2065b-d.pdf SiC Schottky Diodes SIC SBD GEN1.5 650V 20A PQFM88
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