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Technische Details FFSP08120A onsemi / Fairchild
Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO220L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote FFSP08120A nach Preis ab 4.46 EUR bis 10.40 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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FFSP08120A | Hersteller : onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO220LPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
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| FFSP08120A | Hersteller : ON Semiconductor |
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| FFSP08120A | Hersteller : ONSEMI |
FFSP08120A THT Schottky diodes |
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FFSP08120A | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |