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Technische Details FFSP1065A onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FFSP1065A | Hersteller : onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2LPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
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| FFSP1065A | Hersteller : ON Semiconductor |
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| FFSP1065A | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
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