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FFSP1065B-F085

FFSP1065B-F085 onsemi

FFSP1065B_F085_D-2313423.pdf Hersteller: onsemi
Schottky Diodes & Rectifiers Auto SiC Schottky Diode, 650 V
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Technische Details FFSP1065B-F085 onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.

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FFSP1065B-F085 FFSP1065B-F085 Hersteller : onsemi ffsp1065b-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
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Qualification: AEC-Q101
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FFSP1065B-F085 Hersteller : ON Semiconductor ffsp1065b-f085-d.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
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