| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.91 EUR |
| 10+ | 2.99 EUR |
| 100+ | 2.53 EUR |
| 500+ | 2.2 EUR |
| 1000+ | 2.09 EUR |
| 2500+ | 2.08 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FFSP1065B onsemi
Description: ONSEMI - FFSP1065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 25nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FFSP1065B nach Preis ab 2 EUR bis 5.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSP1065B | onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO220-2Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220-2 Current - Average Rectified (Io): 11A Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 |
auf Bestellung 27003 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
FFSP1065B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSP1065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 25nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 746 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| FFSP1065B | ON Semiconductor |
|
auf Bestellung 610 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FFSP1065B |
|
Hersteller: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 11A
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 11A
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
auf Bestellung 27003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 5.95 EUR |
| 50+ | 3.02 EUR |
| 100+ | 2.74 EUR |
| 500+ | 2.24 EUR |
| 1000+ | 2.08 EUR |
| 2000+ | 2 EUR |
| FFSP1065B |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP1065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FFSP1065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FFSP1065B |
|
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)