| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 14.66 EUR |
| 10+ | 7.96 EUR |
| 100+ | 7.25 EUR |
| 500+ | 6.64 EUR |
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Technische Details FFSP2065BDN-F085 onsemi
Description: ONSEMI - FFSP2065BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 25 nC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 25nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FFSP2065BDN-F085 nach Preis ab 5.84 EUR bis 18.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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FFSP2065BDN-F085 | onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2104 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FFSP2065BDN-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSP2065BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 25 nC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 25nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 787 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FFSP2065BDN-F085 | ON Semiconductor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FFSP2065BDN-F085 |
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Hersteller: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.97 EUR |
| 50+ | 8.09 EUR |
| 100+ | 7.43 EUR |
| 500+ | 6.26 EUR |
| 1000+ | 5.89 EUR |
| 2000+ | 5.84 EUR |
| FFSP2065BDN-F085 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP2065BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 25 nC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FFSP2065BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 25 nC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.11 EUR |
| 26+ | 9.09 EUR |
| 100+ | 7.79 EUR |
| 500+ | 7.18 EUR |
| FFSP2065BDN-F085 |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)