FFSP3065B ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Kind of package: tube
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 8.76 EUR |
| 12+ | 7.69 EUR |
| 13+ | 7.03 EUR |
| 14+ | 6.25 EUR |
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Technische Details FFSP3065B ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 74 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 74nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FFSP3065B nach Preis ab 6.14 EUR bis 15.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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FFSP3065B | onsemi |
SiC Schottky Diodes SIC DIODE 650V 30A |
auf Bestellung 354 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FFSP3065B | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
auf Bestellung 617 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FFSP3065B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSP3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 74 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 74nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 477 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FFSP3065B |
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Hersteller: onsemi
SiC Schottky Diodes SIC DIODE 650V 30A
SiC Schottky Diodes SIC DIODE 650V 30A
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.97 EUR |
| 10+ | 9.38 EUR |
| 100+ | 7.14 EUR |
| 500+ | 6.5 EUR |
| FFSP3065B |
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Hersteller: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.74 EUR |
| 50+ | 7.94 EUR |
| 100+ | 7.28 EUR |
| 500+ | 6.14 EUR |
| FFSP3065B |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 74 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 74nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FFSP3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 74 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 74nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 15.79 EUR |
| 17+ | 12.61 EUR |
| 50+ | 11.29 EUR |
| 100+ | 9.94 EUR |
| 250+ | 8.62 EUR |