FGA30T65SHD onsemi / Fairchild
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.64 EUR |
| 10+ | 6.99 EUR |
| 100+ | 6.09 EUR |
| 450+ | 5.17 EUR |
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Technische Details FGA30T65SHD onsemi / Fairchild
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube, Power - Max: 238 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Gate Charge: 54.7 nC, Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V, Switching Energy: 598µJ (on), 167µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 14.4ns/52.8ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-3PN.
Weitere Produktangebote FGA30T65SHD
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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FGA30T65SHD | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FGA30T65SHD - IGBT, FS-Trench, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: TO-3PN Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 746 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FGA30T65SHD | ON Semiconductor |
|
auf Bestellung 14320 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FGA30T65SHD |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA30T65SHD - IGBT, FS-Trench, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FGA30T65SHD - IGBT, FS-Trench, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FGA30T65SHD |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 14320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH