FGA30T65SHD onsemi / Fairchild
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| Anzahl | Preis |
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| 10+ | 6.99 EUR |
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| 450+ | 5.17 EUR |
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Technische Details FGA30T65SHD onsemi / Fairchild
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 14.4ns/52.8ns, Switching Energy: 598µJ (on), 167µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 54.7 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 238 W.
Weitere Produktangebote FGA30T65SHD
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FGA30T65SHD | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FGA30T65SHD - IGBT, FS-Trench, 60 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: TO-3PN Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 752 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGA30T65SHD | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 14320 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FGA30T65SHD | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGA30T65SHD | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-3PN IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 14.4ns/52.8ns Switching Energy: 598µJ (on), 167µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 54.7 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 238 W |
Produkt ist nicht verfügbar |