FGA40N65SMD onsemi
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 820µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 820µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3+ | 10.56 EUR |
30+ | 8.36 EUR |
120+ | 7.17 EUR |
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Technische Details FGA40N65SMD onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns, Switching Energy: 820µJ (on), 260µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 119 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 349 W.
Weitere Produktangebote FGA40N65SMD nach Preis ab 5.69 EUR bis 10.87 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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FGA40N65SMD | Hersteller : onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 650V, 40A Field Stop IGBT |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FGA40N65SMD | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA40N65SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A |
auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGA40N65SMD (TO-3P, ON) IGBT N-ch 650V 80A Produktcode: 112251 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
Produkt ist nicht verfügbar
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FGA40N65SMD | Hersteller : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGA40N65SMD | Hersteller : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGA40N65SMD | Hersteller : TE Connectivity | TE Connectivity |
Produkt ist nicht verfügbar |