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FGA40N65SMD

FGA40N65SMD ON Semiconductor

fga40n65smd-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Technische Details FGA40N65SMD ON Semiconductor

Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO-3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns, Switching Energy: 820µJ (on), 260µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 119 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 349 W.

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FGA40N65SMD FGA40N65SMD Hersteller : ON Semiconductor fga40n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FGA40N65SMD FGA40N65SMD Hersteller : onsemi fga40n65smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 820µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
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FGA40N65SMD FGA40N65SMD Hersteller : onsemi / Fairchild fga40n65smd-d.pdf IGBTs 650V, 40A Field Stop IGBT
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FGA40N65SMD FGA40N65SMD Hersteller : ONSEMI 2907304.pdf Description: ONSEMI - FGA40N65SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FGA40N65SMD (TO-3P, ON) IGBT N-ch 650V 80A FGA40N65SMD (TO-3P, ON) IGBT N-ch 650V 80A
Produktcode: 112251
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FGA40N65SMD FGA40N65SMD Hersteller : ON Semiconductor fga40n65smd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FGA40N65SMD FGA40N65SMD Hersteller : ON Semiconductor fga40n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FGA40N65SMD Hersteller : ONSEMI fga40n65smd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FGA40N65SMD Hersteller : TE Connectivity fga40n65smd-d.pdf Array
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FGA40N65SMD Hersteller : ONSEMI fga40n65smd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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