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FGA40N65SMD (TO-3P, ON) IGBT N-ch 650V 80A

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Produktcode: 112251
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FGA40N65SMD FGA40N65SMD ON Semiconductor fga40n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 48800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+4.51 EUR
500+4.2 EUR
1000+3.9 EUR
10000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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FGA40N65SMD FGA40N65SMD ON Semiconductor fga40n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 18450 Stücke:
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FGA40N65SMD FGA40N65SMD ON Semiconductor fga40n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
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FGA40N65SMD FGA40N65SMD onsemi fga40n65smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 820µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.78 EUR
30+5.5 EUR
120+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FGA40N65SMD FGA40N65SMD onsemi fga40n65smd-d.pdf IGBTs 650V, 40A Field Stop IGBT
auf Bestellung 81 Stücke:
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1+9.82 EUR
10+5.53 EUR
120+4.57 EUR
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FGA40N65SMD FGA40N65SMD ONSEMI 2907304.pdf Description: ONSEMI - FGA40N65SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Verlustleistung: 349W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGA40N65SMD ONSEMI fga40n65smd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.88 EUR
20+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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FGA40N65SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 48800 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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500+4.2 EUR
1000+3.9 EUR
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Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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FGA40N65SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 18450 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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FGA40N65SMD
Hersteller: ON Semiconductor
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FGA40N65SMD
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 820µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
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FGA40N65SMD
Hersteller: onsemi
IGBTs 650V, 40A Field Stop IGBT
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FGA40N65SMD
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA40N65SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Verlustleistung: 349W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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FGA40N65SMD fga40n65smd-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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13+6.88 EUR
20+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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