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FGA50S110P

FGA50S110P ON Semiconductor

fga50s110p-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1100V 50A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Technische Details FGA50S110P ON Semiconductor

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Power - Max: 300 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Part Status: Active, Gate Charge: 195 nC, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-3PN, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FGA50S110P FGA50S110P ON Semiconductor fga50s110p-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1100V 50A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FGA50S110P FGA50S110P Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003590120-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 195 nC
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
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FGA50S110P FGA50S110P onsemi / Fairchild FGA50S110P_D-1809251.pdf IGBT Transistors 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT
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Trans IGBT Chip N-CH 1100V 50A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FGA50S110P
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 195 nC
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
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FGA50S110P
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT
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