Technische Details FGA6065ADF ON Semiconductor / Fairchild
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN, Power - Max: 306 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 84 nC, Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V, Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-3PN, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Reverse Recovery Time (trr): 110 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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FGA6065ADF | ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FGA6065ADF | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FGA6065ADF |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FGA6065ADF |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)