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FGA60N65SMD

FGA60N65SMD ON Semiconductor

fga60n65smd-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Technische Details FGA60N65SMD ON Semiconductor

Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 47 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns, Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 189 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 600 W.

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FGA60N65SMD FGA60N65SMD Hersteller : ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FGA60N65SMD FGA60N65SMD Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2286684B28FA8&compId=FGA60N65SMD-DTE.pdf?ci_sign=b47757b52704f8dad2d5b15a65308db84240e69f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
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FGA60N65SMD FGA60N65SMD Hersteller : onsemi / Fairchild fga60n65smd-d.pdf IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT
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FGA60N65SMD FGA60N65SMD Hersteller : ONSEMI 2572491.pdf Description: ONSEMI - FGA60N65SMD - IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FGA60N65SMD Hersteller : ON-Semicoductor fga60n65smd-d.pdf IGBT 650V 120A 600W   FGA60N65SMD TFGA60N65smd
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 142 Stücke:
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5+11.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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FGA60N65SMD FGA60N65SMD
Produktcode: 60090
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