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FGA60N65SMD ON Semiconductor

Name: FGA60N65SMD
Brand: ON Semiconductor
SKU: 27170862-5
Price: 1705.5 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

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Technische Details FGA60N65SMD ON Semiconductor

Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 47 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns, Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 189 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 600 W.

Weitere Produktangebote FGA60N65SMD nach Preis ab 3.54 EUR bis 11.41 EUR

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Beschreibung

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FGA60N65SMD

Hersteller : ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

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FGA60N65SMD

Hersteller : ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

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FGA60N65SMD

Hersteller : ONSEMI

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FGA60N65SMD

Hersteller : ONSEMI

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14+	5.45 EUR
16+	4.72 EUR
17+	4.46 EUR
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FGA60N65SMD

Hersteller : ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

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FGA60N65SMD

Hersteller : ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

auf Bestellung 1893 Stücke:

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17+	8.93 EUR
18+	8.20 EUR
30+	4.98 EUR
120+	3.54 EUR

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FGA60N65SMD

Hersteller : onsemi / Fairchild

IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT

auf Bestellung 2724 Stücke:

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1+	10.12 EUR
10+	9.61 EUR
30+	6.23 EUR
120+	5.19 EUR
2520+	5.02 EUR
5010+	4.56 EUR

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FGA60N65SMD

Hersteller : ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

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50+	6.86 EUR
100+	6.00 EUR
450+	4.84 EUR

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FGA60N65SMD

Hersteller : onsemi

Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W

auf Bestellung 347 Stücke:

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2+	10.61 EUR
30+	6.06 EUR
120+	5.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FGA60N65SMD

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - FGA60N65SMD - IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 612 Stücke:

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FGA60N65SMD

Hersteller : ON-Semicoductor

IGBT 650V 120A 600W FGA60N65SMD TFGA60N65smd
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
5+	11.41 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FGA60N65SMD
Produktcode: 60090

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FGA60N65SMD

Hersteller : ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

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