FGA60N65SMD
Produktcode: 60090
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Weitere Produktangebote FGA60N65SMD nach Preis ab 3.2 EUR bis 11.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FGA60N65SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGA60N65SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGA60N65SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGA60N65SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGA60N65SMD | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN Case: TO3PN Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 284nC Collector current: 60A Power dissipation: 300W Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 180A Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGA60N65SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 3591 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGA60N65SMD | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 3593 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGA60N65SMD | Hersteller : onsemi |
IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT |
auf Bestellung 812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGA60N65SMD | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 47 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 189 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 600 W |
auf Bestellung 2042 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGA60N65SMD | Hersteller : ON-Semiconductor |
IGBT 650V 120A 600W FGA60N65SMD TFGA60N65smd Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGA60N65SMD | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA60N65SMD - IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: TO-3PN Dauerkollektorstrom: 120A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGA60N65SMD | Hersteller : ONS/FAI |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A TO-3P Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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