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FGA60N65SMD

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Produktcode: 60090
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FGA60N65SMD FGA60N65SMD ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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FGA60N65SMD FGA60N65SMD ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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FGA60N65SMD FGA60N65SMD ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 2961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+7 EUR
32+5.44 EUR
100+4.77 EUR
120+4.57 EUR
450+4.49 EUR
510+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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FGA60N65SMD FGA60N65SMD ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 2963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+7.02 EUR
32+5.33 EUR
100+4.61 EUR
120+4.34 EUR
450+4.15 EUR
510+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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FGA60N65SMD FGA60N65SMD ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+7.28 EUR
120+6.63 EUR
270+6.25 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FGA60N65SMD FGA60N65SMD ONSEMI FGA60N65SMD-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.41 EUR
13+6.74 EUR
15+5.71 EUR
30+5 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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FGA60N65SMD FGA60N65SMD ON Semiconductor fga60n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.36 EUR
27+6.33 EUR
100+5.08 EUR
120+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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FGA60N65SMD FGA60N65SMD onsemi fga60n65smd-d.pdf IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT
auf Bestellung 1119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.92 EUR
10+7.6 EUR
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FGA60N65SMD FGA60N65SMD onsemi fga60n65smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 1913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.11 EUR
30+7.56 EUR
120+6.34 EUR
510+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FGA60N65SMD FGA60N65SMD ON-Semiconductor info-tfga60n65smd.pdf IGBT 650V 120A 600W   FGA60N65SMD TFGA60N65smd
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FGA60N65SMD FGA60N65SMD ONSEMI 2572491.pdf Description: ONSEMI - FGA60N65SMD - IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGA60N65SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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FGA60N65SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
115+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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FGA60N65SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 2961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+7 EUR
32+5.44 EUR
100+4.77 EUR
120+4.57 EUR
450+4.49 EUR
510+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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FGA60N65SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 2963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+7.02 EUR
32+5.33 EUR
100+4.61 EUR
120+4.34 EUR
450+4.15 EUR
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FGA60N65SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+7.28 EUR
120+6.63 EUR
270+6.25 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FGA60N65SMD
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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12+7.41 EUR
13+6.74 EUR
15+5.71 EUR
30+5 EUR
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FGA60N65SMD
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.36 EUR
27+6.33 EUR
100+5.08 EUR
120+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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FGA60N65SMD
Hersteller: onsemi
IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT
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1+12.92 EUR
10+7.6 EUR
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FGA60N65SMD
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
auf Bestellung 1913 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+13.11 EUR
30+7.56 EUR
120+6.34 EUR
510+5.46 EUR
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Hersteller: ON-Semiconductor
IGBT 650V 120A 600W   FGA60N65SMD TFGA60N65smd
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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FGA60N65SMD
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA60N65SMD - IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
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