FGA60N65SMD - Transistoren - Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Technische Details FGA60N65SMD
Preis FGA60N65SMD ab 6.01 EUR bis 17.79 EUR
|
FGA60N65SMD Hersteller: ONSEMI Material: FGA60N65SMD THT IGBT transistors 
|
auf Bestellung 662 Stücke  Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|
||||||||
 Hersteller: onsemi Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P Power - Max: 600 W Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Part Status: Active Gate Charge: 189 nC Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns IGBT Type: Field Stop Supplier Device Package: TO-3P Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A Reverse Recovery Time (trr): 47 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
|
auf Bestellung 142 Stücke  Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
||||||||
 Hersteller: onsemi / Fairchild IGBT Transistors 650V, 60A Field Stop IGBT
|
auf Bestellung 756 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
||||||||
|
FGA60N65SMD Hersteller: ON IGBT 650V 120A 600W Trans. FGA60N65SMD TO3P TFGA60N65smd Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
|
auf Bestellung 14 Stücke Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|
||||||||
|
FGA60N65SMD Hersteller: ON IGBT 650V 120A 600W Trans. FGA60N65SMD TO3P TFGA60N65smd Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
|
auf Bestellung 90 Stücke Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|
||||||||
 Hersteller: ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
|
2603 Stücke |
|
|
||||||||
|
FGA60N65SMD Hersteller: ONSEMI Material: FGA60N65SMD THT IGBT transistors
|
662 Stücke |
|
|
||||||||
|
FGA60N65SMD Hersteller: ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|||||||||
|
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild IGBT Transistors 650V, 60A Field Stop IGBT
|
auf Bestellung 242 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
||||||||
 Hersteller: onsemi Description: IGBT, 650V, 60A, FIELD STOP Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Reverse Recovery Time (trr): 47ns Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns Gate Charge: 189nC Input Type: Standard Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off) Power - Max: 600W Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A Current - Collector Pulsed (Icm): 180A Current - Collector (Ic) (Max): 120A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650V IGBT Type: Field Stop Part Status: Active Packaging: Bulk Supplier Device Package: TO-3P
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
Mit diesem Produkt kaufen
| GBJ2510(Dioden Brücke) Produktcode: 47865 |
|
| Möglichen Substitutionen |
|
KBJ2510 (Diodenbrücke) Produktcode: 42587 |
| GBU2510 (Diodenbrücke) Produktcode: 42585 |
|
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Diodenbrücken
Gehäuse: GBU
Urew: 1000V
I dir: 25A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: GBU25005, GBU2501, GBU2502, GBU2504, GBU2506, GBU2508, GBU15005, GBU1501, GBU1502, GBU1504, GBU1506, GBU1508, GBU1510, GBU10005, GBU1001, GBU1002, GBU1004, GBU1006, GBU1008, GBU1010
№ 7: 8541 10 00 10
60 Stück - stock KölnDioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Diodenbrücken
Gehäuse: GBU
Urew: 1000V
I dir: 25A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: GBU25005, GBU2501, GBU2502, GBU2504, GBU2506, GBU2508, GBU15005, GBU1501, GBU1502, GBU1504, GBU1506, GBU1508, GBU1510, GBU10005, GBU1001, GBU1002, GBU1004, GBU1006, GBU1008, GBU1010
№ 7: 8541 10 00 10
310 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
|