Produkte > ON SEMICONDUCTOR > FGA60N65SMD

FGA60N65SMD ON Semiconductor

Name: FGA60N65SMD
Brand: ON Semiconductor
SKU: 18996509-5
Price: 145.04 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

auf Bestellung 330 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
49+	2.96 EUR
120+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 49

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details FGA60N65SMD ON Semiconductor

Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 47 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns, Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 189 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 600 W.

Weitere Produktangebote FGA60N65SMD nach Preis ab 2.63 EUR bis 11.71 EUR

Foto

Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Preis

FGA60N65SMD

Hersteller : ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

auf Bestellung 355 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
40+	3.59 EUR
49+	2.85 EUR
120+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 40

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FGA60N65SMD

Hersteller : ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
30+	4.88 EUR

Mindestbestellmenge: 30

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FGA60N65SMD

Hersteller : ONSEMI

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
14+	5.16 EUR
15+	4.82 EUR
18+	4.2 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FGA60N65SMD

Hersteller : ONSEMI

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
14+	5.16 EUR
15+	4.82 EUR
18+	4.2 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FGA60N65SMD

Hersteller : ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

auf Bestellung 3753 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
18+	8.03 EUR
28+	4.92 EUR
120+	4.05 EUR
510+	3.53 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FGA60N65SMD

Hersteller : ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

auf Bestellung 3753 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
18+	8.04 EUR
28+	4.93 EUR
120+	4.06 EUR
510+	3.54 EUR

Mindestbestellmenge: 18

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FGA60N65SMD

Hersteller : ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
16+	9.14 EUR
28+	5.04 EUR
40+	4.43 EUR

Mindestbestellmenge: 16

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FGA60N65SMD

Hersteller : onsemi

Description: IGBT FIELD STOP 650V 120A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W

auf Bestellung 2172 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
2+	9.72 EUR
30+	5.55 EUR
120+	4.63 EUR
510+	3.96 EUR
1020+	3.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FGA60N65SMD

Hersteller : onsemi

IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT

auf Bestellung 959 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
1+	9.89 EUR
10+	5.67 EUR
100+	4.7 EUR
450+	4.54 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FGA60N65SMD

Hersteller : ON-Semiconductor

IGBT 650V 120A 600W FGA60N65SMD TFGA60N65smd
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 78 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
5+	11.71 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FGA60N65SMD

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - FGA60N65SMD - IGBT, 650V, 120A, TO-3PN
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 120A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 491 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FGA60N65SMD
Produktcode: 60090

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FGA60N65SMD

Hersteller : ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH