Weitere Produktangebote FGA6540WDF nach Preis ab 2.74 EUR bis 9.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGA6540WDF | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FGA6540WDF | Hersteller : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench |
auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGA6540WDF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
FGA6540WDF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
FGA6540WDF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
FGA6540WDF | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA6540WDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
FGA6540WDF | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 101 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3PN IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/54.4ns Switching Energy: 1.37mJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 55.5 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 238 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
| 10nF 2kV NP0 K(+/-10%) D<=17,5mm (KB3D103K-L016BD17.5-Hitano) Produktcode: 23427 |
|
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 10nF
Nennspannung: 2000V
TKE: NPO
Präzision: ±10% K
Abmessungen: D<=17,5mm
Part Nummer: KB3D103K-L016BD17.5
№ 8: 8532 24 00 00
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 10nF
Nennspannung: 2000V
TKE: NPO
Präzision: ±10% K
Abmessungen: D<=17,5mm
Part Nummer: KB3D103K-L016BD17.5
№ 8: 8532 24 00 00
verfügbar: 1533 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.42 EUR |
| 10+ | 0.29 EUR |
| 100+ | 0.18 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
| MC74AC20DG Produktcode: 188250 |
|
IC > IC Logik
Gehäuse: SOIC-14
Beschreibung: Logic Gates dual 4-Input NAND
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 2...6 V
T°C: -40…+85°C
Тип логіч. елем.: NAND
Gehäuse: SOIC-14
Beschreibung: Logic Gates dual 4-Input NAND
Analog 74хх: SMD
Strom.V: 2...6 V
T°C: -40…+85°C
Тип логіч. елем.: NAND
erwartet:
55 Stück
| PMLL4148 Produktcode: 1294 |
|
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80 (Quadro MELF)
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Trr, ns: Schneller
Bemerkung: Reverse recovery time Trr = 4 ns
Austauschbar:: SMD
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80 (Quadro MELF)
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Trr, ns: Schneller
Bemerkung: Reverse recovery time Trr = 4 ns
Austauschbar:: SMD
auf Bestellung 7410 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.04 EUR |
| 10+ | 0.03 EUR |
| 100+ | 0.012 EUR |
| BC817-40 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 17873 |
|
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD
verfügbar: 18090 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.04 EUR |
| 10+ | 0.03 EUR |
| 100+ | 0.026 EUR |
| 1000+ | 0.023 EUR |