FGA90N33ATDTU
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Technische Details FGA90N33ATDTU
Description: IGBT TRENCH 330V 90A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 23 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 330 A, Power - Max: 223 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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FGA90N33ATDTU | onsemi |
Description: IGBT TRENCH 330V 90A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 23 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Gate Charge: 95 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V Current - Collector Pulsed (Icm): 330 A Power - Max: 223 W |
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FGA90N33ATDTU | onsemi / Fairchild |
IGBTs 330V 90A PDP Trench |
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FGA90N33ATDTU | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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FGA90N33ATDTU | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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FGA90N33ATDTU | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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| FGA90N33ATDTU |
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Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH 330V 90A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 330 A
Power - Max: 223 W
Description: IGBT TRENCH 330V 90A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 330 A
Power - Max: 223 W
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Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 330V 90A PDP Trench
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| FGA90N33ATDTU |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 223W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
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