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FGAF20S65AQ onsemi


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Hersteller: onsemi
IGBT Transistors 650V 20A FS4 SA IGBT
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Technische Details FGAF20S65AQ onsemi

Description: ONSEMI - FGAF20S65AQ - IGBT, 40 A, 1.4 V, 75 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650, Betriebstemperatur, max.: 175, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FGAF20S65AQ onsemi Description: IGBT 650V 20A TO-3PF
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FGAF20S65AQ FGAF20S65AQ ONSEMI FGAF20S65AQ-D.PDF Description: ONSEMI - FGAF20S65AQ - IGBT, 40 A, 1.4 V, 75 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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FGAF20S65AQ
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 650V 20A TO-3PF
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FGAF20S65AQ FGAF20S65AQ-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGAF20S65AQ - IGBT, 40 A, 1.4 V, 75 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
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Betriebstemperatur, max.: 175
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