Produkte > ONSEMI > FGB5N60UNDF
FGB5N60UNDF

FGB5N60UNDF ONSEMI

FAIRS45702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGB5N60UNDF - IGBT, 10 A, 1.9 V, 73.5 W, 600 V, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73.5
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
172+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FGB5N60UNDF ONSEMI

Description: ONSEMI - FGB5N60UNDF - IGBT, 10 A, 1.9 V, 73.5 W, 600 V, TO-263AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73.5, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Weitere Produktangebote FGB5N60UNDF nach Preis ab 1.46 EUR bis 1.46 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FGB5N60UNDF FGB5N60UNDF ONSEMI FAIRS45702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FGB5N60UNDF - IGBT, 10 A, 1.9 V, 73.5 W, 600 V, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 73.5
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB5N60UNDF FGB5N60UNDF ON Semiconductor / Fairchild FGB5N60UNDF-D-1808861.pdf IGBT Transistors 600V 5A NPT IGBT
auf Bestellung 2106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB5N60UNDF FAIRS45702-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGB5N60UNDF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGB5N60UNDF - IGBT, 10 A, 1.9 V, 73.5 W, 600 V, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 73.5
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
172+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB5N60UNDF FGB5N60UNDF-D-1808861.pdf
FGB5N60UNDF
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
IGBT Transistors 600V 5A NPT IGBT
auf Bestellung 2106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH