FGB5N60UNDF ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGB5N60UNDF - IGBT, 10 A, 1.9 V, 73.5 W, 600 V, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73.5
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FGB5N60UNDF - IGBT, 10 A, 1.9 V, 73.5 W, 600 V, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73.5
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FGB5N60UNDF ONSEMI
Description: ONSEMI - FGB5N60UNDF - IGBT, 10 A, 1.9 V, 73.5 W, 600 V, TO-263AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73.5, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote FGB5N60UNDF
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
FGB5N60UNDF | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild | IGBT Transistors 600V 5A NPT IGBT |
auf Bestellung 2106 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
||
FGB5N60UNDF | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGB5N60UNDF - IGBT, 10 A, 1.9 V, 73.5 W, 600 V, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 rohsCompliant: YES Verlustleistung: 73.5 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9 usEccn: EAR99 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 624 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
FGB5N60UNDF | Hersteller : Fairchild Semiconductor | Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
Produkt ist nicht verfügbar |