FGD3040G2-F085 ON Semiconductor
Hersteller: ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 390V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details FGD3040G2-F085 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085 - IGBT, 41 A, 1.15 V, 150 W, 400 V, TO-252AA, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.15V, Verlustleistung Pd: 150W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V, Dauerkollektorstrom: 41A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EcoSPARK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 41A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FGD3040G2-F085 nach Preis ab 0.98 EUR bis 4.8 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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FGD3040G2-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
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FGD3040G2-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
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FGD3040G2-F085 | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 400V 41A TO-252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-252AA Td (on/off) @ 25°C: 900ns/4.8µs Test Condition: 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 21 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 150 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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FGD3040G2-F085 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
IGBTs EcoSPARK2 300mJ 400V N-Chan Ignition IGB |
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FGD3040G2-F085 | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 400V 41A TO-252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-252AA Td (on/off) @ 25°C: 900ns/4.8µs Test Condition: 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 21 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 150 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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FGD3040G2-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085 - IGBT, 41 A, 1.15 V, 150 W, 400 V, TO-252AA, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252AA Dauerkollektorstrom: 41A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EcoSPARK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FGD3040G2-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085 - IGBT, 41 A, 1.15 V, 150 W, 400 V, TO-252AA, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.15V Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252AA Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V Dauerkollektorstrom: 41A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EcoSPARK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 41A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGD3040G2-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 25.6A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FGD3040G2-F085 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
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| FGD3040G2-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; DPAK; Features: logic level Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 25.6A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FGD3040G2_F085 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs Test Condition: 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 21 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 150 W |
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| FGD3040G2-F085 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; DPAK; Features: logic level Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 25.6A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD |
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