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FGD3040G2-F085V

FGD3040G2-F085V onsemi

fgd3040g2-f085v-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: IGBT 400V 41A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 0.9µs/4.8µs
Test Condition: 300V, 6.5A, 1000Ohm, 5V
Gate Charge: 21 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details FGD3040G2-F085V onsemi

Description: IGBT 400V 41A TO-252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Td (on/off) @ 25°C: 0.9µs/4.8µs, Test Condition: 300V, 6.5A, 1000Ohm, 5V, Gate Charge: 21 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 41 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 150 W, Qualification: AEC-Q101.

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FGD3040G2-F085V FGD3040G2-F085V Hersteller : ON Semiconductor fgd3040g2-f085v-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 400V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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FGD3040G2-F085V FGD3040G2-F085V Hersteller : ON Semiconductor fgd3040g2-f085v-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 400V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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FGD3040G2-F085V FGD3040G2-F085V Hersteller : onsemi FGD3040G2-F085V-D.PDF IGBTs Ignition IGBT, N-Channel Ignition, DPAK, 26A, 1.35V, 300mJ EcoSPARK2
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FGD3040G2-F085V FGD3040G2-F085V Hersteller : onsemi fgd3040g2-f085v-d.pdf Description: IGBT 400V 41A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 0.9µs/4.8µs
Test Condition: 300V, 6.5A, 1000Ohm, 5V
Gate Charge: 21 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
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FGD3040G2-F085V FGD3040G2-F085V Hersteller : ON Semiconductor fgd3040g2-f085v-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 400V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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FGD3040G2-F085V FGD3040G2-F085V Hersteller : ON Semiconductor fgd3040g2-f085v-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 400V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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FGD3040G2-F085V Hersteller : ON Semiconductor fgd3040g2-f085v-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 400V 41A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FGD3040G2-F085V Hersteller : ONSEMI fgd3040g2-f085v-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; DPAK; Features: logic level
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: IGBT
Application: ignition systems
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Gate-emitter voltage: ±10V
Power dissipation: 150W
Collector current: 25.6A
Collector-emitter voltage: 400V
Version: ESD
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