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FGD3440G2 On Semiconductor

Hersteller: On Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 390V 26.9A DPAK Транзистори

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Technische Details FGD3440G2 On Semiconductor

Description: IGBT 400V 26.9A TO252AA, Power - Max: 166 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Current - Collector (Ic) (Max): 26.9 A, Gate Charge: 24 nC, Test Condition: 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V, Td (on/off) @ 25°C: -/5.3µs, Supplier Device Package: TO-252AA, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.2V @ 4V, 6A, Input Type: Logic, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	FGD3440G2	onsemi	Description: IGBT 400V 26.9A TO252AA Power - Max: 166 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector (Ic) (Max): 26.9 A Gate Charge: 24 nC Test Condition: 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V Td (on/off) @ 25°C: -/5.3µs Supplier Device Package: TO-252AA Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.2V @ 4V, 6A Input Type: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FGD3440G2

Hersteller: onsemi
Description: IGBT 400V 26.9A TO252AA
Power - Max: 166 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 26.9 A
Gate Charge: 24 nC
Test Condition: 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: -/5.3µs
Supplier Device Package: TO-252AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.2V @ 4V, 6A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

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