Technische Details FGH30N60LSDTU ON Semiconductor
Description: IGBT 600V 60A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns, Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V, Gate Charge: 225 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 480 W.
Weitere Produktangebote FGH30N60LSDTU
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH30N60LSDTU | onsemi |
 Description: IGBT 600V 60A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V Gate Charge: 225 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 480 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
FGH30N60LSDTU | onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors PDD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
FGH30N60LSDTU | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FGH30N60LSDTU |
|
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
Description: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FGH30N60LSDTU |
|
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors PDD
IGBT Transistors PDD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FGH30N60LSDTU |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH