FGH30T65UPDT-F155 ON Semiconductor
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Technische Details FGH30T65UPDT-F155 ON Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 33 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns, Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 250 W.
Weitere Produktangebote FGH30T65UPDT-F155 nach Preis ab 7.29 EUR bis 9.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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FGH30T65UPDT-F155 | ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH30T65UPDT-F155 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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