FGH40N60SFDTU IR
Produktcode: 49007
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,3
Ic 25: 80
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/115
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote FGH40N60SFDTU nach Preis ab 2.56 EUR bis 11.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH40N60SFDTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
FGH40N60SFDTU | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
FGH40N60SFDTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
FGH40N60SFDTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
FGH40N60SFDTU | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 290 W |
auf Bestellung 727 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
FGH40N60SFDTU | Hersteller : onsemi |
IGBTs 600V 40A Field Stop |
auf Bestellung 898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
FGH40N60SFDTU | Hersteller : ON-Semiconductor |
IGBT 600V 80A 290W FGH40N60SFDTU TFGH40N60sfdtu Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
FGH40N60SFDTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
| FGH40N60SFDTU | Hersteller : ONS/FAI |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |