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FGH40N60SFDTU

FGH40N60SFDTU IR

fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf
Produktcode: 49007
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,3 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 290 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 25/115
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ON Semiconductor fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.85 EUR
120+5.71 EUR
270+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ONSEMI FGH40N60SFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.3 EUR
16+5.62 EUR
19+4.56 EUR
30+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ON Semiconductor fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.85 EUR
42+4.16 EUR
120+3.7 EUR
510+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ON Semiconductor fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.88 EUR
42+4.08 EUR
120+3.57 EUR
510+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU onsemi fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf IGBTs 600V 40A Field Stop
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.12 EUR
10+5.11 EUR
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FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU onsemi fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.29 EUR
30+5.2 EUR
120+4.3 EUR
510+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ON-Semiconductor info-tfgh40n60sfdtu.pdf IGBT 600V 80A 290W   FGH40N60SFDTU TFGH40N60sfdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+14.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FGH40N60SFDTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40N60SFDTU
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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FGH40N60SFDTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: onsemi
IGBTs 600V 40A Field Stop
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Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
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FGH40N60SFDTU
Hersteller: ON-Semiconductor
IGBT 600V 80A 290W   FGH40N60SFDTU TFGH40N60sfdtu
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