Technische Details FGH40N60SMDF ON Semiconductor
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns, Switching Energy: 1.3mJ (on), 260µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 119 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 349 W.
Weitere Produktangebote FGH40N60SMDF nach Preis ab 3.97 EUR bis 16.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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FGH40N60SMDF | ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40N60SMDF | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FGH40N60SMDF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH40N60SMDF - IGBT, Universal, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: TO-247AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 3099 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH40N60SMDF |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 5.7 EUR |
| 36+ | 4.93 EUR |
| 38+ | 4.51 EUR |
| 100+ | 4.2 EUR |
| FGH40N60SMDF |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 5.7 EUR |
| 36+ | 4.82 EUR |
| 38+ | 4.34 EUR |
| 100+ | 3.97 EUR |
| FGH40N60SMDF |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40N60SMDF - IGBT, Universal, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FGH40N60SMDF - IGBT, Universal, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 16.65 EUR |
| 21+ | 11.16 EUR |
| 100+ | 8.33 EUR |
| 500+ | 7.84 EUR |
| 1000+ | 6.94 EUR |