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FGH40N60UFDTU

FGH40N60UFDTU ON Semiconductor

fgh40n60ufd-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details FGH40N60UFDTU ON Semiconductor

Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns, Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 290 W.

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FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU Hersteller : ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE02DE17B4259&compId=FGH40N60UFD.pdf?ci_sign=e2e7f4c0d5faa7c11d312a18c4f8466a13707ecb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU Hersteller : onsemi fgh40n60ufd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
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120+2.79 EUR
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FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU Hersteller : onsemi / Fairchild FGH40N60UFD-D.PDF IGBTs 600V 40A Field Stop
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1+6.2 EUR
10+3.24 EUR
120+2.66 EUR
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FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU Hersteller : ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU Hersteller : ONSEMI 2303983.pdf Description: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FGH40N60UFDTU Hersteller : ON-Semicoductor fgh40n60ufd-d.pdf IGBT 600V 80A 290W   FGH40N60UFDTU TFGH40N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
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4+12.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU
Produktcode: 61781
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Hersteller : FAIR fgh40n60ufd-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 80
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 24/112
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