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FGH40N60UFDTU

FGH40N60UFDTU Fairchild

fgh40n60ufd-d.pdf
Produktcode: 61781
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 290 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 24/112
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.65 EUR
120+2.94 EUR
510+2.56 EUR
1020+2.36 EUR
2010+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.74 EUR
120+3.05 EUR
510+2.7 EUR
1020+2.55 EUR
2010+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU onsemi fgh40n60ufd-d.pdf IGBTs 600V 40A Field Stop
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.13 EUR
10+4.88 EUR
120+3.94 EUR
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FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI 2303983.pdf Description: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
Verlustleistung: 290W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 747 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.65 EUR
36+6.5 EUR
100+5.41 EUR
500+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ON-Semiconductor info-tfgh40n60ufdtu.pdf IGBT 600V 80A 290W   FGH40N60UFDTU TFGH40N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+15.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI FGH40N60UFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FGH40N60UFDTU fgh40n60ufd-d.pdf
FGH40N60UFDTU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
Verlustleistung: 290W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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FGH40N60UFDTU
Hersteller: ON-Semiconductor
IGBT 600V 80A 290W   FGH40N60UFDTU TFGH40N60ufdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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FGH40N60UFDTU
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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