
FGH40T120SMD-F155 ON Semiconductor
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Technische Details FGH40T120SMD-F155 ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 65 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns, Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 370 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 555 W.
Weitere Produktangebote FGH40T120SMD-F155 nach Preis ab 7.75 EUR bis 21.86 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FGH40T120SMD-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FGH40T120SMD-F155 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 555 W |
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FGH40T120SMD-F155 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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FGH40T120SMD-F155 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FGH40T120SMD-F155 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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FGH40T120SMD-F155 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 555W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T120SMD-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH40T120SMD-F155 Produktcode: 154761
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