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FGH40T120SMD

FGH40T120SMD ON Semiconductor

fgh40t120smdd.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details FGH40T120SMD ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 65 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns, Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 370 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 555 W.

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FGH40T120SMD FGH40T120SMD Hersteller : ON Semiconductor fgh40t120smdd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40T120SMD FGH40T120SMD Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC9B8F9EAEB61580CE&compId=FGH40T120SMD.pdf?ci_sign=95b102fbe13845048fa66cbdd4b64584df8083ab Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
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Mounting: THT
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FGH40T120SMD FGH40T120SMD Hersteller : onsemi / Fairchild fgh40t120smd-d.pdf IGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT
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FGH40T120SMD FGH40T120SMD Hersteller : onsemi fgh40t120smd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
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FGH40T120SMD FGH40T120SMD Hersteller : ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FGH40T120SMD Hersteller : ON-Semicoductor fgh40t120smd-d.pdf Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
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FGH40T120SMD Hersteller : ON-Semicoductor fgh40t120smd-d.pdf Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
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FGH40T120SMD FGH40T120SMD
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ZCODE: 8541290010
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FGH40T120SMD FGH40T120SMD Hersteller : ON Semiconductor fgh40t120smdd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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